ES1DL R3G

TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A

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Farnell

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Supplier	Supplier Part Number	Stock	Delivery	Factory Lead	MOQ	Packaging	Status
Farnell	1559127	0	2506 days	—	Minimum order quantity 1	—	No Stock
Farnell	1559127RL	0	2506 days	—	Minimum order quantity 500	—	No Stock

Supplier	Description	Links
Farnell 1559127RL	TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
Farnell 1559127	TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A

Farnell

Anzahl der Pins2 Pins

Bauform - DiodeSub-SMA

Betriebstemperatur, max.150°C

DiodenkonfigurationEinfach

Durchlassspannung, max.950mV

Durchlassstoßstrom30A

Durchschnittlicher Durchlassstrom1A

euEccnNLR

hazardousfalse

Periodische Spitzensperrspannung200V

productTraceabilityYes-Date/Lot Code

ProduktpaletteES1D

Qualifikation-

rohsPhthalatesCompliantYES

Sperrverzögerungszeit35ns

usEccnEAR99